[发明专利]一种Cu2O/TiO2纳米管阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010212628.X 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN101851772B 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 罗胜联;杨丽霞;李玥;刘承斌 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C25D5/18;C25D3/38;C25D11/34
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 颜勇
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种环境功能纳米材料-Cu2O/TiO2纳米管阵列及其制备方法。其将TiO2纳米管阵列置5mmol-20mmolCuSO4溶液中,采用脉冲电镀在标准三电极体系中,在TiO2纳米管阵列上电沉积铜,得到Cu/TiO2复合纳米管阵列;沉积之后在NaOH碱性溶液中电氧化一定的时间,得到直径小于5纳米的超细Cu2O纳米线修饰的TiO2纳米管阵列。这些纳米丝相互缠绕连接形成网络结构附着在TiO2纳米管阵列上,但完全没有堵塞TiO2纳米管;将会非常有利于光生载流子的传输,并且降低了电子空穴对复合的几率;有效地扩展了TiO2在可见光区的吸收范围,而且还降低了光腐蚀,提高了其光电转换效率,展现出优良的光催化效率。
搜索关键词: 一种 cu sub tio 纳米 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Cu2O/TiO2纳米管阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在25~100V直流电压下,以纯钛或钛合金为阳极,铂片为阴极,在电解液中电解制备二氧化钛纳米管;在400℃‑500℃有氧条件下将制备的二氧化钛纳米管阵列煅烧4‑6h,使其晶化成TiO2纳米管阵列;(2)将2cm×5cm的TiO2纳米管阵列置5mmol‑20mmolCuSO4溶液中,采用脉冲电镀的方法在以铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极,TiO2纳米管阵列为工作电极的标准三电极体系中电沉积单质铜;通断电压比为‑1v∶‑0.00001v;通断时间比为0.2∶1,得到Cu/TiO2复合纳米管阵列;(3)采用步骤(2)得到的Cu/TiO2复合纳米管阵列为阳极,铂片为阴极的二电极体系,电极间距2cm,电压为0.5V,无搅拌条件下在0.5M‑2M的NaOH碱性溶液中电氧化30min,得到直径小于5纳米的超细Cu2O纳米线修饰的TiO2纳米管阵列。
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