[发明专利]集成电路元件的形成方法

摘要

本发明提供一种形成集成电路元件的方法，该方法包括提供基板，具有第一区、第二区、及第三区；以及分别形成第一栅极结构于第一区中、第二栅极结构于第二区中、及第三栅极结构于第三区中。第一、第二及第三栅极结构包括栅极介电层，且栅极介电层分别具有第一厚度、第二厚度、及第三厚度。上述形成第一、第二及第三厚度的栅极介电层的步骤包括当形成第一、第二及第三栅极结构时，形成蚀刻阻挡层于第一、第二及第三区三者中至少一者的栅极介电层上；和/或在形成栅极结构于第一、第二及第三区三者中至少一者中之前，先进行注入工艺于第一、第二及第三区三者中至少一者上。本发明可减少有源区氧化层蚀刻的次数。

主权项

一种集成电路元件的形成方法，其中集成电路元件包含不同厚度的栅极介电层，包括：提供一基板，该基板具有一第一区、一第二区、及一第三区；形成一第一栅极结构于该第一区中，其中该第一栅极结构包括一具有第一厚度的第一栅极介电层、一阻挡层、及一虚置栅极层；形成一第二栅极结构于该第二区中，其中该第二栅极结构包括一虚置栅极介电层及一虚置栅极层；形成一第三栅极结构于该第三区中，其中该第三栅极结构包括一虚置栅极介电层及一虚置栅极层；移除该第一区、该第二区、及该第三区的该虚置栅极层，以形成开口于该第一栅极结构、该第二栅极结构、及该第三栅极结构中；进行一注入工艺于该第二区；移除该第二栅极结构与该第三栅极结构的该虚置栅极介电层；形成一界面介电层以填入该第二栅极结构与该第三栅极结构的部分开口，其中该第二栅极结构的界面介电层具有一第二厚度，而第三栅极结构的界面介电层具有一第三厚度；以及形成栅极于该第一栅极结构、该第二栅极结构、及该第三栅极结构的开口中。