[发明专利]金属栅极晶体管、集成电路以及其制造方法有效
| 申请号： | 201010212876.4 | 申请日： | 2010-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101924027A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/49;H01L27/092;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属栅极晶体管、集成电路、系统以及其制造方法，此方法包括：在基底上方的介电材料内形成开口，在开口内与基底上方形成栅极介电结构，在开口内与栅极介电结构上方形成功函数金属层，并且在功函数金属层上方形成硅化物结构。本发明的金属栅极晶体管可以在特征尺寸持续缩减的同时改善元件的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 晶体管 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成金属栅极晶体管的后栅极方法，包括：在一基底上方的一介电材料内形成一开口；在该开口内与该基底上方形成一栅极介电结构；在该开口内与该栅极介电结构上方形成一功函数金属层；以及在该功函数金属层上方形成一硅化物结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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