[发明专利]一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法无效
| 申请号： | 201010213904.4 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101837289A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 姜兆华;姚忠平;贾方舟;李春香 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/22 | 分类号： | B01J23/22;B01J21/06;B01J37/08;B01J37/34;C01B3/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，涉及一种纳米二氧化钛薄膜光催化剂的表面改性方法。本发明解决了现有固定化二氧化钛光催化剂的催化活性低的问题。本发明的方法：首先利用阳极氧化方法在TC4钛合金上制备纳米二氧化钛薄膜；然后把纳米二氧化钛薄膜放入管式炉中，加热至300~600℃，保温1~3h，再随炉冷却即可。本发明的方法成功地制备了Ti和V复合氧化物，得到的改性纳米二氧化钛光催化剂的光催化制氢的产氢速率是没有进行热处理的二氧化钛薄膜的产氢速率的1.18倍，光催化制氢性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tc4 基体 纳米 氧化 薄膜 光催化剂 热处理 表面 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法是通过以下步骤实现的：一、在TC4钛基体上制备纳米二氧化钛薄膜：将TC4钛基体进行预处理去除表面氧化膜，然后将预处理后的TC4钛基体作为工作电极置于电解液中，铜片作为对电极，控制反应电压为10~30V，进行恒压阳极氧化20~120min，即在TC4钛基体上得到纳米二氧化钛薄膜，其中电解液组成为：5~6g/L的NH4F和体积浓度为2%~5%的H3PO4溶液，溶剂为水；二、将经步骤一处理后的TC4钛基体放入管式炉内，然后将管式炉加热至300~600℃，保温1~3h，再随炉冷却即在TC4钛基体上得到改性后的二氧化钛薄膜光催化剂，即完成TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法。
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