[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201010213947.2 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101887938A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 张汝京 | 申请（专利权）人： | 张汝京 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片及其制造方法。所述发光二极管芯片包括：衬底及衬底上的发光外延叠层，所述发光外延叠层依次包括：n型界面层；n型界面层上的发光层；发光层上的p型界面层，其中，所述p型界面层与所述发光层、n型界面层的面积相同；所述p型界面层上具有p电极；所述衬底的背面具有外接电极层；所述n型界面层的侧壁通过导电部与所述外接电极层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：衬底及衬底上的发光外延叠层，所述发光外延叠层依次包括：n型界面层；n型界面层上的发光层；发光层上的p型界面层，其特征在于，所述p型界面层与所述发光层、n型界面层的面积相同；所述p型界面层上具有p电极；所述衬底的背面具有外接电极层；所述n型界面层的侧壁通过导电部与所述外接电极层电连接。
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