[发明专利]影像感测元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010216378.7 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102299160A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张中玮;林积劭;黄芳铭;胡喻评 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/266;H04N5/225 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种影像感测元件，包括基底，具有第一导电型态；外延层，具有第一导电型态，位于基底上，其中外延层包括对应于第一入射光的第一像素区和对应于第二入射光的第二像素区，其中第一入射光的波长大于第二入射光的波长；光二极管，设置于外延层的上部部分；用来减少影像感测元件的像素至像素间串扰的第一深阱，位于第二像素区中外延层的下部部分，其中外延层的至少部分第一像素区中不包括第一深阱。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种影像感测元件，包括：基底，具有第一导电型态；外延层，具有所述第一导电型态，位于所述基底上，其中所述外延层包括对应于第一入射光的第一像素区和对应于第二入射光的第二像素区，其中所述第一入射光的波长大于所述第二入射光的波长；光二极管，设置于所述外延层的上部部分；用来减少所述影像感测元件的像素至像素间串扰的第一深阱，位于所述第二像素区中所述外延层的下部部分，其中所述外延层的至少部分第一像素区中不包括所述第一深阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
