[发明专利]掩模版和掩模版制作方法有效
| 申请号： | 201010216555.1 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102314074A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 江传亮;杨志勇 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F1/38;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩模版和一种掩模版制作方法，其中，所述掩模版包括：基底；位于所述基底一侧的具有不同厚度的多个掩模部件，所述掩模部件表面具有掩模标记，所述掩模标记设置于所述掩模部件在曝光过程中光线出射一侧的表面；覆盖于所述基底的具有多种透光率的滤光膜。本发明通过使每一个包含掩模标记的掩模部件对应于多种透光率，从而在单次曝光时，能够获得对应于不同物距、不同光强的多个掩模标记的像图案，减少了反复曝光的次数，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掩模版，适于焦面曝光矩阵曝光测试，包括：基底；位于所述基底一侧的具有不同厚度的多个掩模部件，所述掩模部件表面具有掩模标记，所述掩模标记设置于所述掩模部件在曝光过程中光线出射一侧的表面；覆盖于所述基底的具有多种透光率的滤光膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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