[发明专利]一种TO220封装MOSFET多管并联的安装连接方法无效

专利信息
申请号: 201010217118.1 申请日: 2010-07-02
公开(公告)号: CN102315808A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 李桃峰 申请(专利权)人: 西安新大良电子科技有限公司
主分类号: H02P6/00 分类号: H02P6/00;H05K7/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710065 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种TO220封装MOSFET多管并联的安装连接方法为了解决TO-220封装的MOSFET器件在连接时,存在的因散热速度慢引起的驱动器效率降低问题,通过把铝板作为MOSFET管脚的导电连接器件,使大电流多个MOSFET并联时管脚间连接变得容易、可靠,使每个MOSFET的散热镀锡铜板与铝板直接接触,减小了热阻,提高了MOSFET的散热性能,MOSFET的温升低了,损耗就小,驱动器效率就高。
搜索关键词: 一种 to220 封装 mosfet 并联 安装 连接 方法
【主权项】:
一种TO220封装MOSFET多管并联的安装连接方法,其步骤是:将MOSFET垂直焊接在线路板(7)的两边,上管的S(漏极)靠近下管的D(源极);把各组上管MOSFET的散热镀锡铜板(4)通过螺丝固定在一块上管散热铝板(5)上,这块铝板作为电源的正极接入端与电源正极接入导线相接;上管的管脚(3)与下管的管脚(2)通过电子线路板(7)焊接在一起;把各组下管的散热镀锡铜板(4)用螺丝固定在独立的下管散热铝板(6)上,下管散热铝板(6)用导线与电机绕组相连;下管的管脚(3)焊接在电子线路板(7)上,且在线路板(7)与下管的管脚(3)的焊点连线上留5‑15毫米宽度的敷铜铂,再用一个5‑15毫米宽电源的负连接铝板(9)通过螺丝固定在敷铜铂的表面,电源的负连接铝板(9)通过导线与电源负极相连。
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