[发明专利]一种直接液冷芯片强化传热表面的制备方法无效
| 申请号： | 201010217353.9 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101916717A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王育人;曹鹤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院力学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;马知非 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接液冷芯片的强化沸腾传热表面的制备。本发明采用了制备光子晶体的方法：LB膜法、自组装法或旋涂法；将胶体微球组成规则排列的单层或多层胶体晶体薄膜。然后再以这种薄膜为模板，利用溶胶-凝胶法填充模板，最后利用煅烧或溶解的方法去除模板在基片表面制备出二维或三维强化沸腾传热表面。这种强化沸腾传热表面在管道式的自然循环冷却系统中具有良好沸腾传热性能，且制备方法简单、造价低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 芯片 强化 传热 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新的直接液冷芯片强化传热表面制备方法，其特征为，包括以下步骤：a、使用LB膜法、自组装法、旋涂法或者竖片生长法在基体上制备出具有规则结构的模板；b、使用溶胶 凝胶法填充由步骤a中制成的模板；c、使用煅烧或溶解方法去除所述模板，获得带有表面微结构的强化传热表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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