[发明专利]石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、释放石墨烯层的方法和制造石墨烯器件的方法有效
| 申请号： | 201010217371.7 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101927998A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦;鹭森友彦;佐久田昌明;桥本明弘;田中悟 | 申请（专利权）人： | 日本冲信息株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;蒋骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、释放石墨烯层的方法和制造石墨烯器件的方法。用于从衬底释放石墨烯层的方法，首先在第一衬底的表面上形成石墨烯层，然后在石墨烯层的表面上形成金属层，然后对金属层施加拉力以便将石墨烯层与第一衬底分开，借助分子间力将被释放的石墨烯层结合到与第一衬底分离的第二衬底的表面上或者结合到形成在第二衬底的表面上的结合层的表面上，然后通过例如蚀刻来除去金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 晶片 制造 方法 释放 器件 | ||
【主权项】：
一种用于从衬底释放石墨烯层的方法，包括：在第一衬底的表面上形成石墨烯层；在石墨烯层的表面上形成金属层；以及在金属层上施加拉力以便将石墨烯层与第一衬底分开。
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