[发明专利]发光二极管磊晶结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010217575.0 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102315347A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管磊晶结构，包括一硅基板及一半导体结构层，该硅基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层，该半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙。本发明的磊晶结构由于在半导体结构层与基板之间形成有多个孔隙，二者之间由于热膨胀系数差异而导致残留的应力可被有效地缓解，从而确保磊晶结构的良品率。本发明还提供有一种制造磊晶结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管磊晶结构，包括一硅基板及一半导体结构层，其特征在于：该硅基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层，半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙。
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