[发明专利]电压基准电路有效
| 申请号： | 201010217938.0 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102298410A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电压基准电路，包括偏置电压产生电路和运算放大电路，其中偏置电压产生电路用于向运算放大电路提供偏置电压，运算放大电路用于输出参考电压；所述偏置电压产生电路包括差分输入电路，所述差分输入电路包括两个对称设置的第一差分MOS单元和第二差分MOS单元，第一差分MOS单元和第二差分MOS单元的栅极分别接差分输入电路的输入端，第一差分MOS单元和第二差分MOS单元的源极相连，第一差分MOS单元和/或第二差分MOS单元的漏极接偏置电压产生电路输出端，所述第一差分MOS单元和第二差分MOS单元为裂栅存储单元结构。本发明可以提高电压基准电路的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种电压基准电路，包括偏置电压产生电路和运算放大电路，其中偏置电压产生电路用于向运算放大电路提供偏置电压，运算放大电路用于输出参考电压；所述偏置电压产生电路包括差分输入电路，所述差分输入电路包括两个对称设置的第一差分MOS单元和第二差分MOS单元，第一差分MOS单元和第二差分MOS单元的栅极分别接偏置电压产生电路输入端，第一差分MOS单元和第二差分MOS单元的源极相连，第一差分MOS单元和/或第二差分MOS单元的漏极接偏置电压产生电路输出端，其特征在于，所述第一差分MOS单元和第二差分MOS单元为裂栅存储单元结构。
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