[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010218344.1 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101882657A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 成泰连 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件和方法。所述半导体器件包括形成于具有绝缘特性的生长衬底上的第一类型的基于氮化物的覆层、形成于所述第一类型的基于氮化物的覆层上的多量子阱的基于氮化物的有源层、以及形成于所述多量子阱的基于氮化物的有源层上且不同于所述第一类型的基于氮化物的覆层的第二类型的基于氮化物的覆层。在所述未掺杂的基于氮化物的缓冲层和第一类型的基于氮化物的覆层之间、或/和在所述第二类型的基于氮化物的覆层上形成隧道结层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：厚膜层；形成于所述厚膜层上的第一外延层，其中，所述第一外延层的顶表面进行了表面处理；以及形成于所述第一外延层上并且具有包括用于电子和光电器件的基于氮化物的半导体的多层的第二外延层，其中，按照包括至少一种表示为InxAlyGazN(x、y、z为整数)或SixCyNz(x、y、z为整数)的化合物的单层或多层的形式制备所述第一和第二外延层中的每者。
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