[发明专利]刻蚀终止层的制作方法有效
| 申请号： | 201010218369.1 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102299101A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀终止层的制作方法，所述刻蚀终止层包括三层的叠层，位于低介电常数材料层之间，该方法包括：在低介电常数材料层的表面依次沉积第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层；所述第一刻蚀终止层的形成方法为向沉积反应腔内通入三甲基硅烷TMS和氨气；所述第二刻蚀终止层的形成方法为向沉积反应腔内通入TMS、氨气和乙烯C2H4；在第二刻蚀终止层的表面沉积第三刻蚀终止层；所述第三刻蚀终止层的形成方法为向沉积反应腔内通入TMS和氨气。采用本发明的方法形成的刻蚀终止层提高了刻蚀终止层与低介电常数材料层之间的粘结力。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 终止 制作方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀终止层的制作方法，所述刻蚀终止层包括三层的叠层，位于低介电常数材料层之间，该方法包括：在低介电常数材料层的表面依次沉积第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层；所述第一刻蚀终止层的形成方法为向沉积反应腔内通入三甲基硅烷TMS和氨气；所述第二刻蚀终止层的形成方法为向沉积反应腔内通入TMS、氨气和乙烯C2H4；在第二刻蚀终止层的表面沉积第三刻蚀终止层；所述第三刻蚀终止层的形成方法为向沉积反应腔内通入TMS和氨气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
