[发明专利]SiC反射镜坯原位制备法及装置无效
申请号: | 201010218753.1 | 申请日: | 2010-07-07 |
公开(公告)号: | CN102313916A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 张洪齐 | 申请(专利权)人: | 罗万前 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;C04B35/565;C04B35/622 |
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地址: | 610067 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种SiC反射镜坯原位制备法及装置,属于光学器件制备领域。本装置由数控加工机具,多功能自发热模具,隔热层,真空泵与真空罩等组成。其制备法的特点为:1)在镜坯制备处,由本装置内的数控加工机具制造C/C多功能模具;2)在模腔内成型反应烧结SiC素坯;3)在隔热和真空条件下,多功能模具通电发热升温,对模具内的素坯进行烧结;4)用氧化的方式除去C或C/C芯模;5)对烧结素坯进行掺硅处理;6)对反射面致密化处理.用本发明制备镜坯,工艺简单可靠;可制备结构比刚度大的镜坯;在烧结过程变形小;镜坯的各壁厚易按优化设计分别控制;不用另设真空高温炉即可制备各种直径碳化硅镜坯。本发明特别适于制备大直径(如8米)轻量化SiC、C/SiC镜坯。 | ||
搜索关键词: | sic 反射 原位 制备 装置 | ||
【主权项】:
SiC反射镜坯原位制备法及装置,其特征在于:本装置由:数控加工机具(1),多功能自发热上下模具[(5)+(6)+(8)+(12)],隔热层(4),真空泵与真空罩(3)等组成;其制备方法为:(1)在镜坯制备处,由本装置内的数控加工机具制造其型面与反射面或背面吻合、外形尺寸大于镜坯直径的C/C材料矩形板状物,用此板状物做烧结SiC素坯用的发热体和匀温体,兼做承托烧结SiC素坯时的钵体,还同时兼做SiC素坯的成型模具的上下模壳(5)(12);(2)制备多孔的炭C材或C/C材料,做蜂窝结构空腔的可除滤水分的空心模芯(8)和侧模(6);(3)将上述模壳与模芯组成浇注镜体素坯的模具[(5)+(6)+(8)+(12)];(4)在模具型腔中注入反应烧结SiC的浆料;(5)对模具施加振动,对模芯腔抽真空,待模腔中的浆料高度浓缩后,形成镜体的素坯;(6)在模具的四周添加隔热材料(4),再加设真空罩(3);(7)在真空条件和模壳、模芯和侧模的共同约束下,让自发热体(5)(12)通电发热升温,对素坯进行烧结;(8)烧结完成后,移走上模壳(5);(9)对芯模(8)加温,让其氧化成二氧化碳后自动跑掉;(10)在镜坯上加复硅粉,盖上上模壳(5),加添隔热料(4)和真空罩(3)后再升温,在高温和真空条件下的对烧结坯体进掺硅处理;(11)对镜坯的反射面用化学气相沉积法(CDV‑SiC)进行致密化处理。
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