[发明专利]SiC反射镜坯原位制备法及装置无效

专利信息
申请号: 201010218753.1 申请日: 2010-07-07
公开(公告)号: CN102313916A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 张洪齐 申请(专利权)人: 罗万前
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610067 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种SiC反射镜坯原位制备法及装置,属于光学器件制备领域。本装置由数控加工机具,多功能自发热模具,隔热层,真空泵与真空罩等组成。其制备法的特点为:1)在镜坯制备处,由本装置内的数控加工机具制造C/C多功能模具;2)在模腔内成型反应烧结SiC素坯;3)在隔热和真空条件下,多功能模具通电发热升温,对模具内的素坯进行烧结;4)用氧化的方式除去C或C/C芯模;5)对烧结素坯进行掺硅处理;6)对反射面致密化处理.用本发明制备镜坯,工艺简单可靠;可制备结构比刚度大的镜坯;在烧结过程变形小;镜坯的各壁厚易按优化设计分别控制;不用另设真空高温炉即可制备各种直径碳化硅镜坯。本发明特别适于制备大直径(如8米)轻量化SiC、C/SiC镜坯。
搜索关键词: sic 反射 原位 制备 装置
【主权项】:
SiC反射镜坯原位制备法及装置,其特征在于:本装置由:数控加工机具(1),多功能自发热上下模具[(5)+(6)+(8)+(12)],隔热层(4),真空泵与真空罩(3)等组成;其制备方法为:(1)在镜坯制备处,由本装置内的数控加工机具制造其型面与反射面或背面吻合、外形尺寸大于镜坯直径的C/C材料矩形板状物,用此板状物做烧结SiC素坯用的发热体和匀温体,兼做承托烧结SiC素坯时的钵体,还同时兼做SiC素坯的成型模具的上下模壳(5)(12);(2)制备多孔的炭C材或C/C材料,做蜂窝结构空腔的可除滤水分的空心模芯(8)和侧模(6);(3)将上述模壳与模芯组成浇注镜体素坯的模具[(5)+(6)+(8)+(12)];(4)在模具型腔中注入反应烧结SiC的浆料;(5)对模具施加振动,对模芯腔抽真空,待模腔中的浆料高度浓缩后,形成镜体的素坯;(6)在模具的四周添加隔热材料(4),再加设真空罩(3);(7)在真空条件和模壳、模芯和侧模的共同约束下,让自发热体(5)(12)通电发热升温,对素坯进行烧结;(8)烧结完成后,移走上模壳(5);(9)对芯模(8)加温,让其氧化成二氧化碳后自动跑掉;(10)在镜坯上加复硅粉,盖上上模壳(5),加添隔热料(4)和真空罩(3)后再升温,在高温和真空条件下的对烧结坯体进掺硅处理;(11)对镜坯的反射面用化学气相沉积法(CDV‑SiC)进行致密化处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗万前,未经罗万前许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010218753.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top