[发明专利]一种太阳能电池片的减反射膜及其制备方法有效
申请号: | 201010219117.0 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102315283A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 赵科雄;胡宇宁;冯克光;姜俊刚;范建都;韩志强 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/455;C23C16/42 |
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地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池片的减反射膜及其制备方法,减反射膜的成分主要为SiNx:H,减反射膜中距离减反射膜所依附的硅片表面为T处的SiNx:H中的X满足如下关系:X=a-1.589×10-2T+3.728×10-4T2-4.072×10-6T3+1.535×10-8T4;其中,a为减反射膜与硅片接触的底面中的氮硅比,1.00≤a≤2.0。本发明的减反射膜不仅显著提高了太阳能电池的光电转换效率,而且最大输出功率、开路电压、短路电流及填充因子等电化学性能也得到明显提高,使用寿命也明显增强。且本发明的方法可以在一个设备中一次实现,节约成本,产能高,且工艺简单易实现,具有较高的经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池片的减反射膜,其特征在于,所述减反射膜的成分主要为SiNx:H,减反射膜中距离减反射膜所依附的硅片表面为T处的SiNx:H中的X满足如下关系:X=a‑1.589×10‑2T+3.728×10‑4T2‑4.072×10‑6T3+1.535×10‑8T4;其中,a为减反射膜与硅片接触的底面中的氮硅比,1.00≤a≤2.0。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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