[发明专利]一种基于碳纳米管场效应晶体管的倍频器无效
申请号: | 201010219178.7 | 申请日: | 2010-06-25 |
公开(公告)号: | CN101917161A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 王振兴;张志勇;彭练矛;王胜 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H03B19/14 | 分类号: | H03B19/14;H01L29/78 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于碳纳米管场效应晶体管的倍频器。该倍频器的核心部件是以小禁带宽度碳纳米管为导电通道的场效应晶体管,以栅极作为输入端,源端接地,漏端作为输出端;将输入端输入的交流信号偏置到所述场效应晶体管的直流转移特性的电阻最大点,而输出端用一偏置直流源给场效应晶体管提供工作电源,即可实现倍频。本发明的倍频器转换效率高,频率响应高,信号增益大,并且价格低廉,制作工艺简单,不需要复杂的后期处理电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 场效应 晶体管 倍频器 | ||
【主权项】:
基于小禁带宽度碳纳米管的场效应晶体管在倍频器中的应用,其中该场效应晶体管以小禁带宽度碳纳米管为导电通道,源端和漏端分别位于导电通道的两端,栅极位于源漏之间,栅极与作为导电通道的碳纳米管之间为绝缘层;栅极作为倍频器的输入端,源端接地,漏端作为倍频器的输出端。
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