[发明专利]用数字式液体流量计改进低介电常数介质膜的初始层的方法

摘要

本发明公开了一种用于沉积有机硅酸盐介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层，将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速，并保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。

主权项

一种沉积有机硅酸盐介质层的方法，包括：将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中；将一种或多种氧化气体流入处理腔室；将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀；将所述有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和第一载气流到所述处理腔室中；保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层；将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀；将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和第二载气流到处理腔室中；在所述RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速至第二有机硅流速和第二致孔剂流速；以及保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。