[发明专利]实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法

摘要

本发明公开了一种实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩膜版，倾斜的进行重掺杂P离子注入，从而在源区与体区之间形成重掺杂的P型区，最后在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与其旁边的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOIMOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。

主权项

一种实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在具有绝缘埋层的Si材料上制作浅沟槽隔离结构，隔离出有源区，并在有源区上制作栅区；步骤二、进行高剂量的源区轻掺杂和漏区轻掺杂，形成高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，所述高剂量的源区轻掺杂和漏区轻掺杂注入剂量达到1e15/cm2的量级，所述高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区的浓度达到1e19/cm3的量级；步骤三、在所述栅区周围制备绝缘侧墙隔离结构，然后进行源区和漏区离子注入，形成N型Si材料源区和N型漏区，在它们之间形成体区；步骤四、采用一道在所述N型Si材料源区的位置设有开口的掩膜版，经由该掩膜版以倾斜的方式进行大角度重掺杂P离子注入，控制P离子注入至所述N型Si材料源区与体区之间，从而形成重掺杂的P型区；进行所述大角度重掺杂P离子注入时以垂直于所述N型Si材料源区表面的竖直面为基准，倾斜角度在大于15度小于等于45度的范围内；步骤五、在所述N型Si材料源区表面形成一层金属，然后通过热处理使该金属与其下的Si材料反应生成硅化物，直至生成的硅化物与所述绝缘埋层接触，而剩余的未与该金属反应的Si材料成为N型Si区，生成的硅化物和N型Si区构成N型源区，重掺杂的P型区与生成的硅化物形成欧姆接触，并分别与所述绝缘埋层、体区、N型源区的N型Si区和硅化物接触，最终完成MOS器件结构。