[发明专利]压力传感器及压力传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201010220783.6 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101943623A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 东条博史;米田雅之 | 申请（专利权）人： | 株式会社山武 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;王轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及压力传感器及压力传感器的制造方法，能够防止因漏电流引起的特性异常。该压力传感器(100)具备：形成有扩散电阻布线(6)的第2半导体层(3)、形成在第2半导体层(3)上的绝缘层(7)、形成在绝缘层(7)上的外部导电部(8)。在绝缘膜(7)中，形成有将外部导电部(8)与扩散电阻布线(6)电连接的接点(9)，外部导电部(8)形成在与第2半导体层(3)上形成的扩散电阻布线(6)的范围相当的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，具备：形成有内部电阻部的半导体基板、形成在所述半导体基板上的绝缘膜、和形成在所述绝缘膜上的外部导电部，其特征在于，在所述绝缘膜中，形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点，所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的所述内部电阻部的范围相当的范围内。
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