[发明专利]表面处理装置及其方法无效

专利信息
申请号: 201010221062.7 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN102315087A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 简荣祯;杨宏仁;张志振;林士钦;梁沐旺 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种表面处理装置及其方法,该表面处理装置包括有工艺腔体、传输腔体以及等离子体产生装置。该工艺腔体,其提供一沉积制作工艺。该传输腔体,其耦接于该工艺腔体的一侧,该传输腔体上开设有一开槽以提供容置该等离子体产生装置。该等离子体产生装置产生等离子体并将等离子体导引至该传输腔体内。利用该表面处理装置,本发明更提供一种表面处理方法,当一基板在该工艺腔体内完成沉积制作工艺之后,由该工艺腔体进入该传输腔体的过程中,使该等离子体产生装置产生等离子体以对该沉积层进行表面平坦化处理。
搜索关键词: 表面 处理 装置 及其 方法
【主权项】:
一种表面处理装置,其包括有:工艺腔体,其提供一沉积制作工艺使一基板上形成一沉积层,该工艺腔体具有第一开口;传输腔体,其耦接于该工艺腔体的一侧,该传输腔体内具有空间,其与该工艺腔体相连通,且其一侧具有第二开口,与该第一开口相对应,该传输腔体上开设有一开槽,与该空间相连通,该传输腔体具有传输装置,以将该基板由该传输腔体输送至该工艺腔体或者是由该工艺腔体输送至该传输腔体;等离子体产生装置,其设置在该开槽上;以及控制单元,其与该等离子体产生装置电连接,该控制单元使该等离子体产生装置产生等离子体以对由该工艺腔体进入该传输腔体的一基板上的一沉积层进行表面平坦化处理。
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