[发明专利]表面处理装置及其方法无效
申请号: | 201010221062.7 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102315087A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 简荣祯;杨宏仁;张志振;林士钦;梁沐旺 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种表面处理装置及其方法,该表面处理装置包括有工艺腔体、传输腔体以及等离子体产生装置。该工艺腔体,其提供一沉积制作工艺。该传输腔体,其耦接于该工艺腔体的一侧,该传输腔体上开设有一开槽以提供容置该等离子体产生装置。该等离子体产生装置产生等离子体并将等离子体导引至该传输腔体内。利用该表面处理装置,本发明更提供一种表面处理方法,当一基板在该工艺腔体内完成沉积制作工艺之后,由该工艺腔体进入该传输腔体的过程中,使该等离子体产生装置产生等离子体以对该沉积层进行表面平坦化处理。 | ||
搜索关键词: | 表面 处理 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种表面处理装置,其包括有:工艺腔体,其提供一沉积制作工艺使一基板上形成一沉积层,该工艺腔体具有第一开口;传输腔体,其耦接于该工艺腔体的一侧,该传输腔体内具有空间,其与该工艺腔体相连通,且其一侧具有第二开口,与该第一开口相对应,该传输腔体上开设有一开槽,与该空间相连通,该传输腔体具有传输装置,以将该基板由该传输腔体输送至该工艺腔体或者是由该工艺腔体输送至该传输腔体;等离子体产生装置,其设置在该开槽上;以及控制单元,其与该等离子体产生装置电连接,该控制单元使该等离子体产生装置产生等离子体以对由该工艺腔体进入该传输腔体的一基板上的一沉积层进行表面平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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