[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成绝缘层；对所述绝缘层进行脱水化或脱氢化；在所述绝缘层上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；在所述绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层及所述漏电极层上与所述氧化物半导体层的一部分接触地形成氧化物绝缘膜；以及对所述氧化物绝缘膜进行加热。