[发明专利]一种用于制造半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201010223760.0 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101989567A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供具有第一杂质类型的第一杂质浓度的第一半导体衬底，b)使第一半导体衬底经受第一热处理，从而降低与第一半导体衬底的一个主表面相邻的改性层中的第一杂质浓度，c)将具有降低的第一杂质浓度的改性层至少部分地转移到第二衬底上，从而获得改性的第二衬底，以及d)特别是通过常规外延生长，提供具有不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第二杂质浓度的层。通过这样做，可以防止由第二杂质类型掺杂物对使用具有第一杂质类型掺杂物的半导体材料的生产线的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体衬底特别是绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供具有第一杂质类型的第一杂质浓度的第一半导体衬底，b)使第一半导体衬底经受第一热处理，从而降低与第一半导体衬底的一个主表面相邻的改性层中的第一杂质浓度，c)将具有降低的第一杂质浓度的改性层至少部分地转移到第二衬底上，从而获得改性的第二衬底，以及d)特别是通过外延生长，在改性的第二衬底的转移层上提供一层，该层具有不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第二杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
