[发明专利]高数据保持能力的电阻型存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201010224547.1 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101894911A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 叶立;周鹏;孙清清;吴东平;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体提供一种电阻型存储器的制备方法。该方法包括步骤（1）形成下电极；（2）在所述下电极上构图形成存储介质层；（3）在含有氧等离子的气氛中对所述存储介质层的表面进行富氧等离子体处理；（4）用惰性离子轰击所述存储介质层以使其无定形化；以及（5）形成上电极。以该方法制备的电阻型存储器具有数据保持特性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 保持 能力 电阻 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）形成下电极；（2）在所述下电极上构图形成存储介质层；（3）在含有氧等离子的气氛中对所述存储介质层的表面进行富氧等离子体处理；（4）用惰性离子轰击所述存储介质层以使其无定形化；（5）形成上电极。
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