[发明专利]一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法无效
| 申请号： | 201010224556.0 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101898801A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 邵海波;樊玉欠;孔德帅;皮欧阳;万辉;王建明;张鉴清;曹楚南 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，该方法以金属钴为基体，在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中；然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中，使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应，数分钟至数十分钟后，经洗涤剂洗涤、干燥，即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片，直径0.2-1.5μm，厚度10-200nm。本发明所得氢氧化钴片纯度高，粒度可控，与金属基体结合牢固，可直接作为锂离子电池氧化钴负极的原料，不需添加任何粘结剂和导电剂，工艺条件简单易控，生产周期短，适合工业化大生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 表面 生长 氢氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法，其特征在于，该方法以金属钴为基体，在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中；然后将10-100mg/L的氧化剂分散到该溶液中，使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应，1-59分钟后，经洗涤剂洗涤、干燥，即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片。
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