[发明专利]半导体结构及半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201010224693.4 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102208384A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王姿予;谢棋君;苏安治;陈宪伟;郑心圃;林立伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及半导体装置的形成方法，该半导体结构包括用于半导体装置的凸块底金属层结构。上述凸块底金属层结构具有一中心部与自该中心部延伸的多个延伸部。这些延伸部可具有四边形、三角形、圆形、扇形、具有延伸部的扇形或具有圆滑化表面的修正型四边形的一形状。相邻的凸块底金属层结构具有相互对准或相对地经过旋转的各延伸部。可于这些延伸部的一部涂布一助焊层，以使得上方的一导电凸块附着于这些延伸部的一部。本发明可增加半导体装置的可靠性，特别降低了位于凸块底金属层与导电凸块的介面处的应力聚集情形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基板，包括一第一焊垫；一保护层，位于该基板与至少该第一焊垫的一部之上；一第一凸块底金属层，设置于该第一焊垫之上并延伸通过该保护层至该第一焊垫，该第一凸块底金属层具有一中心部与自该中心部延伸于该保护层的一顶面上的多个延伸部；以及一导电凸块，位于该第一凸块底金属层之上，使得所述多个延伸部的至少一部凸出于该导电凸块的一边缘。
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