[发明专利]用于控制功率晶体管的器件有效
| 申请号： | 201010225169.9 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101944837A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 皮塔·格尔波维克 | 申请（专利权）人： | 施耐德东芝换流器欧洲公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 法国厄尔*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于JFET型晶体管的栅极控制器件，该晶体管包括栅极、漏极和源极，所述器件包括：-电压产生电路(11)，包括连接到该晶体管的栅极(G)的输出端(out2)，所述电路被设计为在该输出端处产生参考栅-源电压(VREF)，该参考栅-源电压遵循预定的电压上升斜线，-电压限制电路(12)，被设计为在该JFET晶体管的端子处的栅-源电压(VGS)已经达到预定的最大值(VGS_max)时将该参考栅-源电压(VREF)限制到所述最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 功率 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
用于JFET型晶体管的栅极控制器件，该晶体管包括栅极、漏极和源极，所述器件的特征在于，它包括：‑电压产生电路(11)，包括连接到该晶体管的栅极(G)的输出端(out2)，所述电路被设计为在该输出端处产生参考栅‑源电压(VREF)，该参考栅‑源电压遵循预定的电压上升斜线，‑电压限制电路(12)，被设计为在该JFET晶体管的端子处的栅‑源电压(VGS)已经达到预定的最大值(VGS_max)时将该参考栅‑源电压(VREF)限制到所述最大值。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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