[发明专利]具有场效整流元件的功率半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010225315.8 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102315270A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 涂高维 | 申请（专利权）人： | 科轩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王月玲;武玉琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有一场效整流元件的功率半导体结构及其制造方法，所述功率半导体结构包括一漏极区、一本体区、一源极区、一栅极通道与一分流通道；其中，本体区位于漏极区的上方；源极区位于本体区内；栅极通道位于本体区内，且邻接于一栅极结构；分流通道位于本体区内，并且由源极区向下延伸至漏极区；分流通道邻接于一导电结构；此导电结构耦接源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 整流 元件 功率 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有一场效整流元件的功率半导体结构，其特征在于，包括：一漏极区；一本体区，位于该漏极区的上方；一源极区，位于该本体区内；一栅极通道，位于该本体区内，并且邻接于一栅极结构；以及一分流通道，位于该本体区内，并且邻接于一导电结构，该导电结构是耦接该源极区，该分流通道是由该源极区向下延伸至该漏极区；其中，该分流通道较该栅极通道为短。
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