[发明专利]发光二极管芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201010225597.1 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101916817A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张楠;齐胜利;朱广敏;叶青;潘尧波;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，首先采用外延法在生长衬底上生长出发光二极管芯片阵列，其中，每一发光二极管芯片包含衬底层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N型半导体层上的N电极、及P型半导体层上的P电极，接着对已形成发光二极管芯片阵列的圆片进行研磨及清洗后，在各发光二极管的出光面上涂敷荧光粉；并对荧光粉进行烘干处理，再对已涂敷荧光粉的圆片裂片以形成单个发光二极管芯片，最后对单个发光二极管芯片进行封装，如此可有效避免因荧光粉涂敷不均匀而导致封装后的产品亮度不均、性能不可靠等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于包括步骤：1)采用外延法在生长衬底上生长出发光二极管芯片阵列，其中，每一发光二极管芯片包含衬底层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N型半导体层上的N电极、及P型半导体层上的P电极；2)对已形成发光二极管芯片阵列的圆片进行研磨及清洗后，在各发光二极管芯片的出光面涂敷荧光粉，并对荧光粉进行烘干处理；3)对已涂敷荧光粉的圆片裂片以形成单个发光二极管芯片；4)对单个发光二极管芯片进行封装。
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