[发明专利]一种铁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010225691.7 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101886243A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 孟健;武晓杰;刘孝娟;吕敏峰;邓孝龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种铁薄膜的制备方法，该制备方法以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，利用磁控溅射沉积设备，用Ar与H2的混合气体为溅射及还原气体，通过选择合适的H2与Ar比例、沉积温度及生长室压力，制备了铁薄膜。由于Fe2O3靶材不是铁磁性材料，因此溅射源可以采用普通的永磁型溅射源，无需采用特殊的溅射源；同时，Fe2O3比单质铁更容易获得高纯度；此外，Fe2O3靶材的生产成本较低，有利于工业化生产。实验结果表明，本发明制备的铁薄膜结晶质量高，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将衬底放入真空度为2×10-5～1×10-4pa的磁控溅射仪的生长室内；以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，向所述生长室中通入H2和Ar的混合气体，在0.4～1Pa的压强、400～600℃的温度下在所述衬底上溅射铁薄膜，所述H2和Ar的体积比为0.9～2∶10。
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