[发明专利]氮化硅发热片的制作方法无效
| 申请号： | 201010225795.8 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102329134A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邓湘凌;马斌 | 申请（专利权）人： | 邓湘凌 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅发热片的制作方法，其包括如下步骤：步骤1、制备流延浆料；步骤2、采用流延成型法对上述流延浆料进行流延，待干燥后制得素胚；步骤3、提供钨浆，利用钨浆在一素胚的相应位置处印刷出作为发热源的钨丝，然后将另一素胚对齐扣在上面，形成素胚组合；步骤4、真空封装；步骤5、热等静压：将塑料膜封装后的素胚组合放到等静压机内75～85℃的液体里，并加上130～160个大气压，素胚微熔粘结；步骤6、预烧结；步骤7、气压炉烧结；步骤8、冷却制得氮化硅发热片。本发明制作流程简单、操作过程易控；利用该方法制作的氮化硅发热片，其成品的合格率较高，具有较高的导热性能，热效率较高，该氮化硅同时还具有较高的热震性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发热 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅发热片的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、制备流延浆料：按重量份计，将氮化硅88～92份、三氧化二铝6.5～8.5份、及三氧化二钇1.5～3.5份混合配制流延浆料；步骤2、采用流延成型法对上述流延浆料进行流延，待干燥后制得素胚；步骤3、提供钨浆，利用钨浆在一素胚的相应位置处印刷出作为发热源的钨丝，然后将另一素胚对齐扣在上面，形成素胚组合；步骤4、真空封装：采用塑料膜对上述素胚组合进行真空封装；步骤5、热等静压：将塑料膜封装后的素胚组合放到等静压机内75～85℃的液体里，并加上130～160个大气压，素胚微熔粘结；步骤6、预烧结：先加热到600℃，真空度小于或等于20Pa，持续10小时，进行真空排胶；然后充氮气，加热到1400℃～1440℃，持续6小时；步骤7、气压炉烧结：充氮气，在5个大气压力下，加热到1830℃，持续10小时；步骤8、冷却制得氮化硅发热片。
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