[发明专利]集成电路晶圆切割方法无效
| 申请号： | 201010225898.4 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102315168A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林青山;吴坤泰;汪志昭 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 万学堂;周伟明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中，测试键分别形成于集成电路之间；于晶圆基板上形成图案化保护层，图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露复数个测试键；使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除测试键；以及切割集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：于一晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中该些测试键分别形成于该些集成电路之间；于该晶圆基板上形成一图案化保护层，该图案化保护层覆盖该复数个集成电路并暴露该复数个测试键；使用该图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除该些测试键；以及切割该些集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
