[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法有效
| 申请号： | 201010226110.1 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102041551A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 野口仁 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B29/36;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 生长 基材 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶金刚石生长用基材，是用于使单晶金刚石生长的基材，其特征在于，至少具有单晶SiC基板和在该单晶SiC基板的生长所述单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
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