[发明专利]双极接面晶体管装置有效

专利信息
申请号: 201010226299.4 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN102315256A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 林正基;许维勋;杜硕伦;连士进;叶清本 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L29/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 梁爱荣
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种双极接面晶体管装置,其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分,及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
搜索关键词: 双极接面 晶体管 装置
【主权项】:
一种双极接面晶体管装置,其特征在于,包括一基极区、一射极区与一集极区,该双极接面晶体管装置包括:一基底;一深井区,位于该基底中;一第一井区,位于该深井区中以作为该基极区;一第二井区,位于该深井区中以作为该集极区,该第二井区与该第一井区之间形成一第一接面;以及一第一掺杂区,位于该第一井区中以作为该射极区,该第一掺杂区与该第一井区之间形成一第二接面;其中该第一掺杂区包括往一第一方向延伸的一第一部分,及往与该第一方向不同的一第二方向延伸的一第二部分,该第一部分与该第二部分互相耦接。
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