[发明专利]RF同轴连接器的耦合损耗降低电路无效

专利信息
申请号: 201010226522.5 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN102244327A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 崔铜旭 申请(专利权)人: 崔铜旭
主分类号: H01R13/719 分类号: H01R13/719
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路,特别提供一种与上述电容器并列设置相同容量的电容器以补偿损耗的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路,为了使传送、接收信号的损耗最小化,所述耦合损耗降低电路改变了阻抗匹配用电容器耦合结构,使同轴连接器的插头与插座耦合时发生的插入损耗最小化,最终补偿损耗。
搜索关键词: rf 同轴 连接器 耦合 损耗 降低 电路
【主权项】:
一种RF同轴连接器的耦合损耗降低电路,其特征在于,对于在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路,与所述电容器并列设置相同容量的电容器,从而补偿损耗。
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