[发明专利]画素结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201010226724.X 申请日: 2010-07-01
公开(公告)号: CN101893797A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 程琮钦;陈政德;李锡烈 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种画素结构,其包括一基板、一彩色滤光层、一导电遮光层、一缓冲层、一扫描线、一数据线、一主动组件及一画素电极。基板具有一画素区域。彩色滤光层对应于基板的画素区域。导电遮光层对应于基板的画素区域的周围。缓冲层覆盖导电遮光层以及彩色滤光层。扫描线及数据线位于缓冲层上。主动组件位于缓冲层上并与扫描线以及数据线电性连接。画素电极位于缓冲层上,并且与主动组件电性连接,其中画素电极与导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。本发明亦提出一种制作上述画素结构的方法。
搜索关键词: 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种画素结构,包括:一基板,其具有一画素区域;一彩色滤光层,对应于该基板的该画素区域;一导电遮光层,对应于该基板的该画素区域的周围;一缓冲层,覆盖该导电遮光层以及该彩色滤光层;一扫描线以及一数据线,位于该缓冲层上;一主动组件,位于该缓冲层上并与该扫描线以及该数据线电性连接;以及一画素电极,位于该缓冲层上,并且与该主动组件电性连接,其中该画素电极与该导电遮光层之间具有一重叠区域以构成一储存电容器。
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