[发明专利]使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010227256.8 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315224A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括：半导体鳍片，位于绝缘层上方；沟道区，位于所述半导体鳍片的中间；源/漏区，位于所述半导体鳍片两端；浮栅，位于所述半导体鳍片的第一侧，并朝着远离所述半导体鳍片的方向延伸；以及第一控制栅，位于所述浮栅的顶部或围绕所述浮栅的顶部和侧壁。该非易失性存储器减小了短沟道效应的影响，可以提高存储密度，并且可以低成本地制造。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 finfet 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，包括：半导体鳍片，位于绝缘层上方；沟道区，位于所述半导体鳍片的中间；源/漏区，位于所述半导体鳍片两端；浮栅，位于所述半导体鳍片的第一侧，并朝着远离所述半导体鳍片的方向延伸；以及第一控制栅，位于所述浮栅的顶部或围绕所述浮栅的顶部和侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
