[发明专利]浅沟槽隔离结构及于其内形成底部孔洞的方法

摘要

本发明提供一种用以形成浅沟槽隔离结构的方法及浅沟槽隔离结构。在本发明实施例中，沟槽形成于基板内，沟槽具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁，前述这些侧壁向下延伸至沟槽的底部。沉积绝缘材料以共同形成前述这些侧壁与沟槽的底部的衬垫层。回蚀刻绝缘材料中邻近沟槽的顶部与底部的部分。继续沉积绝缘材料以形成沟槽的内面的衬垫层，且利用足以使第一与第二突出绝缘材料逐渐接近的速度来沉积，其中第一突出绝缘材料配置于第一侧壁上，而第二突出绝缘材料配置于第二侧壁上。重复回蚀刻与沉积的步骤以使第一与第二突出绝缘材料邻接，从而形成邻近沟槽底部的孔洞。

主权项

一种用以形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包含：(a)提供一半导体基板；(b)形成一沟槽于该基板内，该沟槽具有一第一侧壁以及一相对于该第一侧壁的第二侧壁，该第一侧壁与该第二侧壁向下延伸至该沟槽的底部；(c)沉积一绝缘材料以共同形成该第一侧壁、该第二侧壁以及该沟槽的底部的衬垫层；(d)回蚀刻该绝缘材料中邻近该沟槽的顶部以及该沟槽的底部的部分；(e)继续沉积该绝缘材料以形成该第一侧壁、该第二侧壁以及该沟槽的底部的衬垫层，且利用足以使一第一突出绝缘材料与一第二突出绝缘材料逐渐接近的速度来沉积，其中该第一突出绝缘材料沉积于该第一侧壁上，而该第二突出绝缘材料沉积于该第二侧壁上；以及(f)重复步骤(d)与(e)以使该第一突出绝缘材料与该第二突出绝缘材料邻接，从而形成一邻近该沟槽底部的孔洞。