[发明专利]半导体结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010228386.3 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101937918A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 梁伟成;林昶伸 | 申请（专利权）人： | 芯巧科技股份有限公司;梁伟成 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/04;H01L21/8234;H01L21/822;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括有至少一第一半导体元件、至少一第二半导体元件、一基材及一隔离槽，其中第一半导体元件及第二半导体元件设置于基材上，而隔离槽则设置于基材内，并将基材区隔成一第一基材及一第二基材，使得第一半导体元件位于第一基材上，而第二半导体元件则位于第二基材上，则第一基材及第二基材将可连接不同大小的电压，并有利于缩减半导体结构的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括有：至少一隔离槽，设置于一基材内，并用以将该基材区隔为一第一基材及一第二基材，且该第一基材及该第二基材分别连接不同大小的电压；至少一第一半导体元件，设置于该第一基材上；及至少一第二半导体元件，设置于该第二基材上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
