[发明专利]一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法无效
| 申请号： | 201010228991.0 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101866797A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李志明;孙晓娟;宋航;黎大兵;陈一仁;缪国庆;蒋红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01J9/20 | 分类号： | H01J9/20;H01J9/227 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，涉及场发射显示器件领域，它解决了现有制作场发射阳极屏时存在ITO电极条局部区域绝缘性低而产生干扰亮点，并且ITO层和衬底玻璃表面的视觉反差小，造成ITO条图形不清楚的问题，将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，采用ITO玻璃深化腐蚀液对ITO玻璃进行深化腐蚀；对深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现场发射显示器件阳极屏的制备；ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为：取H2O∶HF＝3∶1的混合液刻蚀ITO条形电极的玻璃衬底，所述HF的浓度为40％的HF的水溶液。本发明适用于场发射器件中套版光刻技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 显示 器件 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，获得腐蚀后的ITO玻璃；步骤二、采用ITO玻璃深化腐蚀液对步骤一获得的ITO玻璃进行深化腐蚀；步骤三、对步骤二获得的深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现场发射显示器件阳极屏的制备；步骤二所述的ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为：取H2O∶HF＝3∶1的混合液刻蚀ITO条形电极(1)的玻璃衬底，所述HF的浓度为40％的HF的水溶液。
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