[发明专利]半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构有效
| 申请号： | 201010229225.6 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102339814A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 邵芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过从MOSFET引出的焊垫对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，还包括：两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极；一个电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极。本发明还提供了一种MOSFET的测试方法，所述测试结构及测试方法提高了MOSFET测试准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 场效应 晶体管 测试 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过与MOSFET连接的焊垫pad对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，其特征在于，还包括：两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极。
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