[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010229497.6 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102044553A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 金镐正;柳寅敬;金昌桢;洪起夏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件可以包括：衬底；多条第一信号线，在衬底上且沿垂直方向；多个存储单元，具有连接到多条第一信号线的末端；多条第二信号线，在衬底上且垂直于多条第一信号线，并且每个所述第二信号线连接到多个存储单元的另一末端；以及多个选择元件，在衬底上并连接到多条第一信号线中的至少两条。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：衬底；多条第一信号线，在所述衬底上且沿垂直方向；多个存储单元，具有连接到所述多条第一信号线的末端；多条第二信号线，在所述衬底上且垂直于所述多条第一信号线，并且所述多条第二信号线的每条连接到所述多个存储单元的另一末端；以及多个选择元件，在所述衬底上并连接到所述多条第一信号线中的至少两条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
