[发明专利]光电装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010229509.5 申请日: 2010-07-09
公开(公告)号: CN102122675A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 安东尼·J·罗特费尔德 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/08;H01L33/00;H01L31/18
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种光电装置及其制造方法,该光电装置包括一基板以及具有露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口的一介电材料,所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比。包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料的一底部二极管材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底部二极管区域。上述装置更包括一顶部二极管材料以及位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间的一有源二极管区。本发明借由于高品质、大区域、低成本的硅晶片上制作太阳能电池、发光二极管、共振穿隧二极管、半导体激光与其他化合物半导体装置,借以降低成本。
搜索关键词: 光电 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电装置,包括:一基板;一介电材料,包括露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口,所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比;一底部二极管材料,包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料,且其中该化合物半导体材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底二极管区;一顶部二极管材料;以及一有源二极管区,位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010229509.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top