[发明专利]一种高硬度自洁釉及制备方法有效
申请号: | 201010230337.3 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN101870593A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 王彦庆;宋子春;董志军;檀瑞超;吉艳光;董子红;高晓琳;马艳丽;王春金 | 申请(专利权)人: | 唐山惠达陶瓷(集团)股份有限公司 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86 |
代理公司: | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人: | 周晓萍;李桂芳 |
地址: | 063307 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种高硬度自洁釉及制备方法,属陶瓷制品技术领域,用于解决提高自洁洁具釉面硬度问题。特别之处是:自洁釉原料组成包括如下质量份的物质:钾长石8-16,石英10-18,高岭土2,三氧化二铝1-4,方解石1-4,硅酸锆1-3,熔块59-69,其中硅酸锆平均粒径为1~1.5um,熔块的熔融温度为1500~1700℃。本发明通过引入适量耐高温熔块及超细硅酸锆,调整釉面化学成分,来调整釉中石英、硅酸锆、玻璃相等矿物组成。使(-Si-O-)网络结构更加致密,达到提高釉面硬度的目的。此外,通过改变颗粒级配,将釉浆粒度(≤10um)控制在70%~80%,使本发明的自洁釉更加趋于光滑平整。 | ||
搜索关键词: | 一种 硬度 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高硬度自洁釉,其特征在于,所述自洁釉原料组成包括如下质量份的物质:钾长石8-16,石英10-18,高岭土2,三氧化二铝1-4,方解石1-4,硅酸锆1-3,熔块59-69,其中硅酸锆平均粒径为1~1.5um,熔块的熔融温度为1500~1700℃。
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