[发明专利]制造多个半导体器件的方法和设备无效
| 申请号： | 201010230664.9 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101916749A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | B·-H·姜 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制造多个半导体器件的方法和设备。一种方法，包括提供包括多个腔体的载体的步骤；在每个腔体内布置至少一个半导体元件；使用封装材料填充多个腔体；以及移除该载体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于制造包括第一高度的多个半导体器件的设备，所述设备包括：多个开口腔体，每个腔体由用于支撑芯片垫的、作为底面部分的引线框和侧壁限定，所述侧壁包括等于或大于第一高度的第二高度。
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