[发明专利]一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，是在栅极替代工艺(Replacement??gate或Gate??last)制备CMOS晶体管过程中，采用金属材料形成替代栅(假栅)，例如TiN和W等，这些材料的形成中不需要高温的条件，避免了假栅形成中造成器件等效氧化层厚度的增加，而且对于具有金属材料层的假栅，源漏离子注入很难穿透其到达介质层及沟道区，避免了离子注入穿透假栅造成器件性能的下降，此外，后续步骤中更易去除，进而提高了器件工艺的集成度。

主权项

一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成界面层、假栅及其侧墙，以及在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区，并覆盖所述源极区、漏极区形成层间介质层，其中所述假栅包括与界面层接触的金属材料层；去除所述假栅，以形成开口；在所述开口中形成覆盖所述界面层的栅极区。