[发明专利]基于石墨烯氧化物的电阻型存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201010231309.3 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101901869A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;周鹏;吴东平;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于石墨烯氧化物的电阻型存储器的制备方法。本发明方法包括以下步骤：形成下电极；采用化学气相沉积方法在下电极上构图形成石墨烯层；对所述石墨烯层采用工业化反应离子刻蚀氧化及远程等离子氧化处理形成石墨烯氧化物层；形成上电极。该电阻型存储器的制备工艺都能与半导体平面制备工艺兼容，能满足大规模工业化生产的要求，制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 氧化物 电阻 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯氧化物的电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）形成下电极；（2）在下电极上构图形成石墨烯层；（3）对所述石墨烯层采用反应离子刻蚀氧化及远程等离子氧化处理形成石墨烯氧化物层；以及（4）形成上电极。
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