[发明专利]一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷。本发明还公开了上述双金属浮栅存储器的制造方法。本发明采用垂直的沟道结构，在增大栅长的情况下不会占用更多的芯片面积，有利于芯片往高度集成的方向发展；用简化的方法制造出面积较小的双位存储单元，可以在相同面积的硅衬底上制造出更多的存储器单元，从而实现高密度存储。

主权项

一种垂直结构的半导体存储器，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的漏区和源区；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底内形成的介于所述源区和漏区之间的垂直沟道区域；覆盖所述垂直沟道区域形成的第一层绝缘薄膜；在所述第一层绝缘薄膜上下两侧形成的第二层绝缘薄膜；覆盖所述第二层绝缘薄膜形成的两个作为电荷存储节点的由第一种导电材料形成的浮栅区；覆盖所述源区、漏区、第一层绝缘薄膜、第二层绝缘薄膜和浮栅区形成的第三层绝缘薄膜；覆盖所述第三层绝缘薄膜形成的由第二种导电材料形成的第二层导电薄膜。