[发明专利]计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法无效
| 申请号： | 201010231657.0 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101937687A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;王胜利;王辰伟 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及计算机硬盘InP基片表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)后表面洁净方法。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成的抛光液，并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，同时可迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 计算机 硬盘 磷化 铟基片 cmp 表面 洁净 方法 | ||
【主权项】：
一种计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法，其特征在于：按照以下步骤进行：(1)水抛液的制备：取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂，活性剂的加入量为15‑30g/L，螯合剂的加入量为5‑20g/L，阻蚀剂的加入量为1‑60g/L；(2)计算机硬盘磷化铟基片CMP后立即使用上述水溶液采用1000g/min‑4000g/min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30s‑3min。
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