[发明专利]铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法有效
| 申请号： | 201010231679.7 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101912856A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;孙鸣;田军 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | B08B3/10 | 分类号： | B08B3/10;B08B3/08;H01L21/302 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应力一致，从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生，完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制，大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 晶体化学 机械抛光 应力 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法，其特征在于，按照下述步骤进行：(1)铌酸锂晶体CMP后立即进行水抛清洗，水抛清洗液初始流量设定为CMP过程的抛光液流速200ml/min 400ml/min，所述水抛液为含有0.5 3％非离子表面活性剂的去离子水；(2)逐步增大水抛液流速到5000ml/min 7000ml/min，上述水抛过程持续30秒 5分钟，然后停止水抛，过程结束。
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